据悉，近日，第三代半导体功率器件制造厂商安徽长飞先进半导体有限公司（以下简称“长飞先进”）发生工商变更，新增东风汽车旗下信之风（武汉）股权投资基金合伙企业（有限合伙）、安徽省皖能海通双碳产业并购投资基金合伙企业（有限合伙）等多位股东。同时，长飞先进的注册资本由约1.50亿元增至约2.92亿元。资料显示，长飞先进成立于2018年，是一个专注于碳化硅（SiC）功率半导体产品研发及制造，拥有产线设备和先进的配套系统，具备从外延生长、器件设计、晶圆制造到模块封测的全流程生产能力和技术研发能力长飞先进可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。我们致力于提供高品质的服务，目前可提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品。此前 ，长飞先进正式宣布完成超38亿元A轮股权融资，融资规模创国内第三代半导体私募股权融资规模历史之最，并刷新2023年以来半导体私募股权融资市场单笔最大融资规模记录。长飞先进本次A轮融资新增投资方包括光谷金控、富浙、中平资本、中建材新材料产业基金、中金资本旗下基金（中金上汽、中金瑞为、中金知行、中金启合）、海通并购基金、国元金控集团旗下基金（国元股权、国元基金、国元创新）、鲁信创投、东风资产、建信信托、十月资本、华安嘉业、中互智云、宝樾启承、云岫资本等。一代材料一代应用，SiC自身的材料特性决定了其虚假 浮名高压高功率领域具有独特优势，SiC功率器件相对Si基器件效率更高、尺寸更小，仰慕 乞求新能源汽车、光伏、储能等领域快速渗透，有助于“双碳”目标的实现，也是高速成长的蓝海市场。碳化硅作为第三代半导体的重要代表细分领域之一，未来款式 样式新能源汽车等行业具有广阔且高成长性的发展应用潜力。长飞先进称，将锚定公司战略持续加强产品研发、提升制造工艺、扩充产能规模、强化客户开发、优化人才团队，不断夯实行业领先地位。同时，长飞先进当时表示，已启动位于“武汉·中国光谷”的第二基地建设，项目一期投资规模超60亿元，项目总投资预计超过200亿元。项目一期将于2025年建设完成，届时将成为国内碳化硅产能最大(年产36万片碳化硅晶圆)、封装产线齐全、以及包含外延生长和前沿创新中心的一体化新高地。 声明:本网站部分文章来自网络，转载目的在于传递更多信息。真实性仅供参考，不代表本网赞同其观点，并对其真实性负责。版权和著作权归原作者所有，转载无意侵犯版权。如有侵权，请联系www.appsvips.com(乐鱼体育)删除,我们会尽快处理，乐鱼体育将秉承以客户为唯一的宗旨,持续的改进只为能更好的服务。-乐鱼体育(附)