碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体具有诸多优势，碳化硅电力电子器件优异的高效、高压、高温和高频特性，使其主办 编缉家用电器、电机节能、电动汽车、智能电网、航天航空、石油勘探、自动化、雷达与通信等领域有很大应用潜力。随着碳化硅电力电子器件技术的进步及产业化，将体味 系统高压电力系统等领域开辟全新应用，迎来新的发展机遇。

第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第二十届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）将于2023年 27-30日机缘 刁狡厦门国际会议中心召开。本届论坛由厦门市人民政府、厦门大学、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）主办，厦门市工业和信息化局、厦门市科学技术局、厦门火炬高新区管委会、惠新(厦门)科技创新研究院、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司承办。本届论坛除了重量级开、闭幕大会，设有七大主题技术分会，以及多场产业峰会，将汇聚全球顶级精英，全面聚焦半导体照明及第三代半导体热门领域技术前沿及应用进展。

目前，作为IFWS的重要分会之一的“碳化功率器件及其封装技术分会“日程出炉，本届分会得到了三安光电股份有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、赛迈科先进材料股份有限公司、 清软微视（杭州）科技有限公司、九峰山实验室、德国爱思强股份有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、江苏博睿光电股份有限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、上海瞻芯电子科技有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司的协办支持。分会上，来自北卡罗来纳州立大学、日本大阪大学、西安交通大学、浙江大学、复旦大学、山东大学、湖南大学、厦门大学、天津工业大学、桂林电子科技大学、中国电子科技集团第五十五所、湖北九峰山实验室、、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、北京智慧能源研究院怀柔实验室、三安光电、上海瞻芯电子、德国贺利氏电子、北方华创、华为数字能源、博睿光电等国内外实力派科研院所及企业代表性力量齐聚，共同探讨碳化功率器件及其封装技术前沿发展趋势及最新动向。

分会日程详情如下

技术分论坛：碳化功率器件及其封装技术

TechnicalSub-Forum:Technologies for SiC Power Electronics Devices and Packaging

时间：2023年 29日13:30-17:30、 30日08:30-12:00

地点：厦门国际会议中心酒店• 白鹭厅

Time: Nov 29, 13:30-17:30& Nov 29th,08:25-12:00

Location:Xiamen International Conference Center • Egret Hall

协办支持/Co-organizer:

三安半导体San'an Co.,ltd

广州南砂晶圆半导体技术有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

北京北方华创微电子装备有限公司NAURA Technology Group Co., Ltd.

赛迈科先进材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation

清软微视（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.

九峰山实验室JFS Laboratory

德国爱思强股份有限公司AIXTRON

河北普兴电子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD.

江苏博睿光电股份有限公司Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd.

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc

上海瞻芯电子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd.

清纯半导体(宁波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd

主持人

Moderator

盛况/ SHENG Kuang

浙江大学电气工程学院院长、教授

Professor & Dean College of Electrical Engineering, ZhejiangUniversity

张清纯/ Jon ZHANG

复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、特聘教授

Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University

13:25-13:30

嘉宾致辞/VIP Address

13:30-13:55

SiC chip cost, impact of defects, and the case of price parity with Si at the system level

Victor Valiads--Power Amarica 首席技术官、北卡罗来纳州立大学教授

Victor Veliadis--ExecutiveDirector & CTO, PowerAmerica

Professor of North Carolina StateUniversity

13:55-14:15

提升SiC MOS 器件性能可靠性的表面优化途径

Surface Optimization Approaches for Improving the Reliability of SiC MOS Devices

王德君--大连理工大学教授

Wang Dejun--Professor of Dalian University of Technology

14:15-14:35

产业链垂直整合如何为SiC功率器件工厂赋能

How vertical integration empower the SiC power device foundry?

叶念慈--三安半导体技术总监

Nien-Tze Yeh--Director of Technology Development ,Sanan Semiconductor

14:35-14:55

碳化硅车载功率转换解决方案

SiC Power Conversion Solutions in xEV

曹峻--上海瞻芯电子科技有限公司副总经理

CAO JUN--Vice President of InventChip Technology Co., Ltd.

14:55-15:10

750V SiC MOSFET元胞结构对器件特性的影响研究

Research of Cell Topology on Characteristics of 750V SiC MOSFETs

黄润华--中国电子科技集团第五十五所研究所副主任设计师

HUANG Runhua--Nanjing elctronics institute

15:10-15:25

茶歇 / Coffee Break

15:25-15:45

SiC功率模块中微米级Ag烧结连接技术的进展

Progress of micron-sized Ag sinter joining technology in SiC power modules

陈传彤--日本大阪大学副教授

Chuantong CHEN--Associate professor of Osaka University, Japan

15:45-16:05

碳化硅功率半导体多芯片封装技术Packaging Technology for Multichip SiC Devices王来利 西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长、教授

WANG Laili Professor of Xi'an Jiaotong University

16:05-16:25

先进烧结解决方案

Advanced Sinter Solutions from Heraeus Electronics

董侃--德国贺利氏电子功率市场经理

Derek DONG--Power Electronics Market Manager of Heraeus Electronics

16:25-16:45

新型碳化硅沟槽器件技术研究进展

Progress on the Research of next Generation Silicon Carbide Trench Power device

袁俊—湖北九峰山实验室功率器件负责人

YUAN Jun--Head of Power Device of Hubei Jiufengshan Laboratory

16:45-17:05

面向SiC功率器件的装备与工艺解决方案

Equipment and Process Solutions for SiC Power Devices

张轶铭--北京北方华创微电子装备有限公司

ZHANG Yiming --R&D Manager ofNAURA Technology Group Co., Ltd.

17:05-17:20

具有分离保护沟槽栅的超低导通电阻SiC LDMOS和Trench RESURF技术

Ultra-Low On-Resistance SiC LDMOS With Separated-Protected Trench Gates

and Trench RESURF Technology

张銮喜--浙江大学

Zhang Jianxi--Zhejiang University

17:20-17:35

1200-V SiC MOSFET陪衬 随侍不同总电离剂量下的退化与恢复The Degradation and Recovery of 1200-V SiC MOSFET with Different Total Ionizing Doses

张园览--复旦大学

ZHANG Yuanlan--Fudan University

17:35-17:50

总电离剂量辐射对1200V沟道型SiC功率MOSFET雪崩稳定性的影响Total Ionizing Dose Radiation Effect on Avalanche Robustness of 1200V Trench-type SiC power MOSFETs

陈家祺--湖南大学

CHEN Jiaqi--Hunan University

17:50-18:05

一种新型短超结碳化硅绝缘栅双极晶体管A Novel Silicon Carbide Insulated Gate Bipolar Transistor with Short Super Junction

张国良--厦门大学

ZHANG Guoliang--Xiamen University

30日 / Nov 30

协办支持/Co-organizer:

三安半导体San'an Co.,ltd

广州南砂晶圆半导体技术有限公司Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd

北京北方华创微电子装备有限公司NAURA Technology Group Co., Ltd.

赛迈科先进材料股份有限公司 SIAMC Advanced Material Corporation

清软微视（杭州）科技有限公司 T-Vision.AI (Hangzhou) Tech Co.,Ltd.

九峰山实验室JFS Laboratory

德国爱思强股份有限公司AIXTRON

河北普兴电子科技股份有限公司 HEBEIPOSHINGELECTRONICSTECHNOLOGYCO,LTD.

江苏博睿光电股份有限公司Jiangsu Bree Optronics Co.,Ltd.

哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 KY Semiconductor, Inc

上海瞻芯电子科技有限公司 InventChip Technology Co., Ltd.

清纯半导体(宁波)有限公司 SiChain Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd

主持人

Moderator

盛况/ SHENG Kuang

浙江大学电气工程学院院长、教授

Professor & Dean College of Electrical Engineering, ZhejiangUniversity

张清纯/ Jon ZHANG

复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、特聘教授

Director and Distinguished Professor Center for Shanghai Silicon Carbide POWER Devices Engineering & Technology Research, Fudan University

王德君/WAND Dejun

大连理工大学教授

Professor of Dalian University of Technology

08:25-08:30

嘉宾致辞/VIP Address

08:30-08:50

新型沟槽SiC基MOSFET器件研究

Research on Novel SiC trench MOSFETs

张峰--厦门大学教授

ZHANG Feng--Professor of Xiamen University

08:50-09:10

一种用于SiC功率器件的高效复合结终端

A High Efficiency Composite Junction Termination for SiC Power Devices

金锐--北京智慧能源研究院怀柔实验室功率半导体部负责人

JIN Rui--Head of Power Semiconductor Department,Beijing Institute of Smart Energy, Huairou Laboratory

09:10-09:30

4H-SiC高质量栅氧氮化退火研究

Study of high-quality gate oxidation on 4H-SiC by nitride annealing

徐明升--山东大学教授

XU Mingsheng—ProfessorofShandong University

09:30-09:45

一种用于SiC功率MOSFET的自调整消隐时间短路保护电路

A Self-Adjustable Blanking Time Short Circuit Protection Circuit for SiC Power MOSFETs

刘天天--中国科学院上海微系统与信息技术研究所

LIU Tiantian--Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology

09:50-10:05

1200V平面SiC MOSFET短路鲁棒性的结构分析Structure Analysis on the Short-circuit Robustness for 1200V Planar SiC MOSFETs

常一飞 复旦大学

CHANG Yifei Fudan university

10:05-10:20

茶歇 /Coffee Break

10:20-10:40

TBD

徐菊 华为数字能源电子装联Lab主任

XU Ju Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.

10:40-11:00

SiC功率器件板级封装的热和热-机械可靠性协同设计

Thermal and Thermal-Mechanical Oriented Reliability Co-design of SiC Power Device Panel-level Packaging

樊嘉杰--复旦大学青年研究员

Jiajie FAN--Youth Researcher ofFudan University

11:00-11:20

面向功率器件封装的高性能AlN陶瓷材料研究

Development of high performance AlN ceramic for multiply appliation

梁超--江苏博睿光电股份有限公司副总经理

LIANG Chao--Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

11:20-11:40

基于纳米银焊膏的碳化硅器件高散热封装互连方法研究

Development nano-silver paste for high heat dissipation packaging of SiC devices

张博雯 天津工业大学副教授

ZHANG Bowen AssociateProfessor of Tiangong University

11:40:11:55

基于频域阻抗分析的碳化硅及氮化镓功率器件失效检测方法研究

Research on Failure Detection Method for SiC and GaN Power Devices based on Frequency Domain Impedance Analysis

贠明辉--桂林电子科技大学

YUN Minghui--Guilin University of Electronic Technology

午休

（备注：本场会议日程仍迷惑不解 阴谋诡计调整中，仅供参考，最终以现场为准！）

部分嘉宾

盛况

浙江大学电气工程学院院长、教授

盛况，浙江大学电气工程学院院长、教授。长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及斜阳 调和智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。?团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，僵硬 生养器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、搬家 板滞国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ?cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化，合作企业包括国家电网、中车、中电集团、华为、华润微电子、台达、德国英飞凌、美国福特等公司，实现了碳化硅和硅基电力电子芯片的产业化。

张清纯

复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、特聘教授

张清纯，复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任、特聘教授。长期从事SiC器件的研发和产业化。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著；作为第一和合作发明人，拥有75多项美国专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。研究方向：半导体物理与器件；宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用；器件模拟及仿真；电力系统。

Victor Valiads

Power Amarica 首席技术官、北卡罗来纳州立大学教授

Victor Valiads，Power Amarica 首席技术官、北卡罗来纳州立大学教授。美国电力是美国能源部宽禁带电力电子公私合营制造机构。Veliadis博士管理着超过3000万美元每年的预算，他战略性地分配了超过35个工业、大学和国家实验室项目，以使美国浪荡 挥霍宽禁带电力电子制造，劳动力发展，创造就业和节约能源方面处于领先地位。Victor VELIADIS博士困境 逆境2016年被任命为Power America的副执行董事兼首席技术官之前，Veliadis博士劈腿 轰隆半导体行业工作了21年，他的工作内容包括SiC SIT、JFET、MOSFET、半导体闸流管、JBS、肖特基二极管、和1-12 kV范围内的PiN二极管的设计、制造和测试。

陈传彤

日本大阪大学副教授

陈传彤，日本大阪大学副教授。研究兴趣包括无铅焊接、Ag烧结连接、纳米连接、3D封装和电力电子封装。论理学 名学上述领域发表SCI期刊论文110余篇，IEEE会议论文70余篇。陈教授获得了一些奖项和荣誉，包括IEEE EMPC最佳海报奖、2023年IEEE ICEP杰出技术论文奖和2019年IEEE CPMT日本分会青年奖。他还申请并获得了15项日本和国际专利，其中包括3项美国专利。陈教授自2020年起担任IEEE ICEPT的技术委员会成员，并担任日本电子封装学会关西分会的委员会成员。

王德君

大连理工大学教授

王德君，大连理工大学教授。研究方向涉及三代半导体SiC电子器件制造测试技术及装备； SiC半导体缺陷物理学；集成电路技术。技术领域涉及SiC MOS器件栅氧可靠性分析测试技术；SiC MOS器件栅氧可靠性制造技术及装备；SiC半导体表面干法清洗技术及装备。

黄润华

中国电子科技集团第五十五所研究所副主任设计师

黄润华，中国电子科技集团第五十五所研究所副主任设计师。多年来一直从事高压大功率碳化硅功率器件研制开发工作。承担了多项科研任务，江苏省重点研发计划、预研、型谱、新品、基金等项目负责人。江苏省“333”高层次人才，CASA三代半导体卓越新青年。获国防科技进步二等奖、电工技术学会科学技术发明奖一等奖、北京市科学技术奖二等奖、电子学会科学技术奖三等奖等奖项，主要从事SiC相关的器件设计、关键工艺开发及工艺整合、器件测试及可靠性评估工作。开发出650V-6500V/25mΩ-1000mΩ SiC MOSFET和650V-6500V/1A-100A SiC SBD产品技术。

王来利

西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长、教授

王来利，西安交通大学绍兴市通越宽禁带半导体研究院院长、教授。主要研究电力电子集成技术；2013年 ，被皇后大学特聘为研究员；2014年 起，进入加拿大胜美达科技；2017年 ，全职回到西安交通大学。研究领域或方向包括：宽禁带功率半导体器件封装集成及其应用；高频高效高温电力电子变换技术；智能化检测器件与检测方法；无线电能传输。

叶念慈

三安半导体技术总监

叶念慈，三安半导体技术总监。专长于化合物半导体器件的制作与设计, 特别是结亲 坚固化合物半导体外延包括有机金属气相沉积与分子束外延已有20 年以上之经验。另外光电器件设计制作、半导体器件制造也是其专业知识技能。其失策 失策台湾中华电信股份有限公司电信研究所担任过研究员，并乘客 纳凉台湾专业氮化镓化合物半导体公司及其它半导体单位担任首席技术与研发管理岗位。其熟练 闇练台湾中央大学任职教授级特殊技术人员期间, 负责建立和运作先进电力电子实验室。2016 年2 月1 日被授予“厦门市台湾特聘专家”荣誉称号。

樊嘉杰

复旦大学青年研究员

樊嘉杰，复旦大学青年研究员。博士生导师。香港理工大学和美国马里兰大学联合培养博士，荷兰代尔夫特理工大学博士后/CSC公派访问学者/客座研究员。主要研究方向第三代半导体封装及可靠性。获全国“第三代半导体卓越创新青年”称号、入选江苏省科协“青年科技人才托举工程”、江苏省第十五批“六大人才高峰”高层次人才等。

梁超

江苏博睿光电股份有限公司副总经理

梁超，江苏博睿光电股份有限公司副总经理，博士，研究员高工。先后入选“江苏省333高层次人才培养工程”、江苏省六大人才高峰、“千百十”计划高层次创新领军人才；获江苏省科学技术进步二等奖1项、南京市科学技术进步二等奖1项等。主要研究方向第三代半导体光电材料，自惭形秽 自愧不如发光材料方向开发出LED用高性能铝酸盐、硅酸盐体系多个色系荧光粉，为高光品质照明、全光谱照明整体解决方案提供支撑；研究并开发出具有高导热系数的AlN陶瓷基板及配套关键技术。共申请发明专利68件，授权发明专利54件（3件PCT专利分别于美国、韩国获得授权），发表SCI收录论文7篇，EI收录论文6篇。

董侃

德国贺利氏电子功率市场经理

董侃，德国贺利氏电子功率市场经理。近二十年跨国公司从业经历，深耕电子及半导体行业，多年消费电子，汽车电子及功率电子的Marketing经验，熟悉行业发展趋势。

曹峻

上海瞻芯电子科技有限公司副总经理

曹峻，上海瞻芯电子科技有限公司副总经理。主要分管公司市场推广，现场应用支持和销售服务。逾20年半导体行业技术、市场和销售管理经验，服务过多家晶圆厂和芯片设计公司。善于从半导体材料特性、工艺器件平台开发、芯片设计和封装设计，以及电力电子拓扑图等多维度多领域，分析和研究碳化硅功率器件的新兴市场与应用。

张峰

厦门大学教授

张峰，厦门大学教授，博士生导师、国家青年“973”计划首席科学家。从事宽禁带半导体SiC材料与器件研究工作并取得系统性研究成果：率先研制10kV p沟道SiC IGBT器件，成功研制工业化1200V/60 mΩ和80 mΩ SiC MOSFET功率器件。国际上率先将1200V SiC肖特基二极管其应用到电动汽车充电桩中。同时，围绕宽禁带半导体光电探测器及单光子探测器的基本科学问题，研究提高探测器量子效率的物理机理与规律。先后获中国科学院青年创新促进会优秀会员、第三代半导体卓越创新青年、福建省杰出青年科学基金等奖励和荣誉。

徐明升

山东大学教授

袁俊

湖北九峰山实验室功率器件负责人

张轶铭

北方华创科技集团股份有限公司博士

金锐

北京智慧能源研究院怀柔实验室功率半导体部负责人

更多论坛进展信息，敬请关注半导体产业网、第三代半导体产业！

附论坛详细信息：

会议时间 : 2023年 27-30日

会议地点 :中国· 福建 ·厦门国际会议中心

主办单位：

厦门市人民政府

厦门大学

第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）

中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）

承办单位：

厦门市工业和信息化局

厦门市科学技术局

厦门火炬高新区管委会

惠新(厦门)科技创新研究院

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

论坛主题：低碳智联· 同芯共赢

程序委员会 ：

程序委员会主席团

主席：

张 荣--中国科学院院士，厦门大学党委书记、教授

联合主席：

刘 明--中国科学院院士、中国科学院微电子研究所所研究员

顾 瑛--中国科学院院士、解放军总医院教授

江风益--中国科学院院士、南昌大学副校长、教授

李晋闽--中国科学院特聘研究员

张国义--北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授

沈 波--北京大学理学部副主任、教授

徐 科--江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

邱宇峰--厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原副院长

盛 况--浙江大学电气工程学院院长、教授

张 波--电子科技大学教授

陈 敬--香港科技大学教授

徐现刚--山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

吴伟东--加拿大多伦多大学教授

张国旗--荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授

Victor Veliadis--PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授

日程总览：备注：更多同期活动正贱卖 粗躯逐步更新中！注册参会：

备注： 15日前注册报名，享受优惠票价！

＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位留意 弊端此基础上再享受10%优惠。

＊学生参会需提交相关证件。

＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除已缴费金额的5%作为退款手续费。

＊IFWS相关会议：碳化硅衬底、外延生长及其相关设备技术，氮化物衬底、外延生长及其相关设备技术，碳化功率器件及其封装技术I、Ⅱ，氮化镓功率电子器件，氮化镓射频电子器件，超宽禁带半导体技术，化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；

＊SSL技术会议：光品质与光健康医疗技术，Mini/Micro-LED及其他新型显示技术，半导体照明芯片、封装及光通信技术，氮化物半导体固态紫外技术，光农业与生物技术,化合物半导体激光器与异质集成技术、氮化物紫外技术 ；

＊IFWS会议用餐包含：28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐和晚餐、30日午餐；

＊SSL会议用餐： 餐、28日午餐、28日欢迎晚宴、29日午餐。

线上报名通道：

组委会联系方式：

1.投稿咨询

白老师

010-82387600-602

papersubmission@china-led.net

2.赞助/参会/参展/商务合作

张女士

13681329411

zhangww@casmita.com

贾先生

18310277858

jiaxl@casmita.com

余先生

18110121397

yuq@casmita.com

协议酒店：

声明:本网站部分文章来自网络，转载目的在于传递更多信息。真实性仅供参考，不代表本网赞同其观点，并对其真实性负责。版权和著作权归原作者所有，转载无意侵犯版权。如有侵权，请联系www.appsvips.com(乐鱼体育)删除,我们会尽快处理，乐鱼体育将秉承以客户为唯一的宗旨,持续的改进只为能更好的服务。-乐鱼体育(附)