2024年 8- 一年一度化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将于武汉光谷科技会展中心举办。湖南浩威特科技发展有限公司将携新品亮相本届盛会，诚邀业界同仁莅临A213展台参观、交流合作。

本届CSE博览会由第三代半导体产业技术创新战略联盟、九峰山实验室共同主办，以“聚势赋能 共赴未来”为主题，将汇集全球顶尖的化合物半导体制造技术专家、行业领袖和创新者，采用“示范展示+前沿论坛+技术与商贸交流”的形式，为产业链的升阶发展搭建供需精准对接平台，助力企业高效、强力拓展目标客户资源，加速驱动中国化合物半导体产业链的完善和升级。

CSE作为2024年首场国际化合物半导体产业博览会得到了多方力量的大力支持，三大主题展区，六大领域，将集中展示各链条关键环节的新技术、新产品、新服务，将打造化合物半导体领域的标杆性展会。助力打造全球化合物半导体平台、技术、产业的灯塔级盛会，集中展示化合物半导体上下游全产业链产品，搭建企业发布年度新产品新技术的首选平台，支撑产业链及中部地区建设具有全球影响力的万亿级光电子信息产业集群。

湖南浩威特科技发展有限公司成立于2007年，始终致力于金属基陶瓷复合材料及器件生产、开发、销售，是国家高新技术企业、湖南省新材料企业。主要产品为铝基碳化硅复合材料，铜基金刚石复合材料以及纤维增强金属复合材料。公司以国防科技大学为技术依托单位，经过多年努力，产品成功定型应用于军工、航天、电力、电子、新能源车等多个行业，覆盖微波电子封装、大功率IGBT模块、光电器件、轻质复合结构件、刹车盘等领域。企业致力于打造全国知名新材料领军企业。2018年经湖南省科技厅批准，建立了湖南省轻质高导热金属基复合材料工程技术研究中心。

产品介绍

单面拱度型（Bow）基板

单面拱度型（Bow）基板一面为球面（散热面），一面为平面（焊接面）。基材为铝碳化硅，表层镀覆金属镍。应用于轨道交通、智能电网IGBT散热基板。

技术参数：

热膨胀系数：6-8 ppm/K ；

热导率：≥180W/(m·K)；

抗弯强度：≥350MPa；

杨氏模量：≥220GPa

密度：2.96-3.04g/cm3

互连导热片（spacer）

互连导热片（spacer）基材为铝碳化硅，上下表层镀覆金属铜、镍、镍金，四周无镀层。铝碳化硅与芯片膨胀系数相近，可靠性高，且热导率高，应用于新能源汽车DSC模块（双面散热）散热片。

技术参数：

热膨胀系数：7-11 ppm/K （可根据客户需求选择）；

热导率：≥190W/(m·K)；

抗弯强度：≥360MPa；

杨氏模量：≥190GPa

密度：2.88-2.96g/cm3。

铜金刚石热沉

铜金刚石采用高压浸渗工艺，材料致密，与芯片膨胀系数相近，可靠性高，且热导率高，表层会根据客户需求镀覆金属金、银或者镍。应用于射频电子器件、激光巴条、芯片、光模块和固态功率电子器件封装。

技术参数：

热膨胀系数：5.5-7.5 ppm/K ；

热导率：≥650W/(m·K)；

杨氏模量：≥300GPa；

密度：5.0-6.0g/cm3；

抗弯强度：≥240MPa.

值此之际，我们诚邀业界同仁共聚本届盛会，莅临展位现场参观交流、洽谈合作。

关于JFSC&CSE2024