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广电计量申请SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置专利，提高了老化效率，加速了双极退化-乐鱼体育
日期：
2024-07-21
据国家知识产权局公告，广电计量检测集团股份有限公司申请一项名为“SiCMOSFET体二极管双极退化试验方法及装置“，公开号CN117761495A，申请日期为2023年 。
专利摘要显示，本发明公开了一种SiC MOSFET体二极管双极退化试验方法及装置，属于SiC功率半导体器件技术领域。本发明分道扬镳
分开常温及高温下重复短脉冲电流功率循环，并对比静态特性，进行双极退化研究，克服了直流电流应力功率循环的局限性，控制简单，可靠性强，试验期间无持续的热量积累，避免了热失控，对封装的特性无影响，可考核
审核高温环境中进行，提高了老化效率，加速了双极退化，为研究SiC双极型功率器件进修
本能高温下的双极退化机理与SiC材料位错缺陷提供了一种新的退化手段，对SiC双极型功率器件长期可靠性的研究具有重要意义，可为SiC双极型功率器件的研制提供指导。
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